Wetting benavior and contact interaction in TiB2—SiC)—(Ni—Mo) system
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | M. S. Storozhenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Adhesion of Melts and Brazing of Materials |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000139002 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Дослідження контактної взаємодії TiB2—SiC зі сплавами Ni—Cr
за авторством: Уманський, О.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Уманський, О.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Structure and properties of quasi-ternary directionally reinforced composites of V4S – TiB2 – SiC system
за авторством: Yu. I. Bohomol, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. I. Bohomol, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
Structure and properties of sputtered powder of the eutectic B4C – TiB2 alloy
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2015)
Properties of Mo–Ni–B phases and alloys in the Ni–MoNi–Mo2NiB2–Ni2B region
за авторством: V. Z. Kublii, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. Z. Kublii, та інші
Опубліковано: (2020)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
Magnetron sputtering of high temperature composite ceramics AlN-TiB2-TiSi2
за авторством: I. N. Torianik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. N. Torianik, та інші
Опубліковано: (2013)
Study of aeroabrasive wear of hot-pressed materials of the B4C–TiB2 system
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanical properties of diamond–TiB2 composites
за авторством: M. Szutkowska, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Szutkowska, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of crystallization rate on the microstrusture and properties of Ti–TiB alloy
за авторством: D. O. Remizov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: D. O. Remizov, та інші
Опубліковано: (2020)
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: A. N. Nazarov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. N. Nazarov, та інші
Опубліковано: (2013)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Structure and properties of the eutectic composite B4C – TiB2 prepared by spark plasma sintering
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural features and physico-mechanical properties of AlN–TiB2–TiSi2 amorphous-like coatings
за авторством: A. D. Pogrebnjak, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. D. Pogrebnjak, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Development prospects of the cutting material on TiB2-TiN composition basis
за авторством: A. S. Petukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. S. Petukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
Перспективы разработки режущего материала на основе композиции TiB₂-TiN
за авторством: Петухов, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Петухов, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Hardness and adhesion strength of ion-plasma coatings of quasibinary systems of TiB2-VB2 and TiC-WC
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Sobol, та інші
Опубліковано: (2015)
Directionally a crystallized ternary eutectic composite of the B4C–TaB2–SiC system
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2022)
Кинетика упорядочения в наноструктурных конденсатах квазибинарной системы W₂B₅—TiB₂
за авторством: Шпак, А.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Шпак, А.П., та інші
Опубліковано: (2008)
The role of legal benavior: the foundation of theoretic ontological understanding
за авторством: I. A. Polonka
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. A. Polonka
Опубліковано: (2016)
Structure and properties of directionally solidified alloy of B4–NbB2–SiC system
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2020)
Study of the influence of TiS additive on physico-mechanical properties of SiC-8B4C-material produced by hot pressing with following siliconizing
за авторством: V. V. Yvzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Yvzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Contact interaction and wetting of polycrystallic silicon by metal melts
за авторством: V. P. Krasovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Krasovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Uniformity of microstructure of Ti–TiB alloy produced under the conditions of electron beam remelting
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2019)
Research of influence of the annealing in the different mediums on TiN—TiB2 compositions properties
за авторством: A. S. Petukhov
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. S. Petukhov
Опубліковано: (2014)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Дослідження контактної взаємодії TiB2—SiC зі сплавами Ni—Cr
за авторством: Уманський, О.П., та інші
Опубліковано: (2008) -
Structure and properties of quasi-ternary directionally reinforced composites of V4S – TiB2 – SiC system
за авторством: Yu. I. Bohomol, та інші
Опубліковано: (2015) -
Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004) -
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014) -
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)