Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | Y. V. Gomeniuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350130 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
за авторством: Gomeniuk, Y.V.
Опубліковано: (2012) -
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Yu. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012) -
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Gomeniuk, Yu.V.
Опубліковано: (2012) -
Novel hysteresis effect in ultrathin epitaxial Gd₂O₃ high-k dielectric
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Influence of the electroneutrality of a metal layer on the plasmon spectrum in dielectric–metal–dielectric structures
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)