Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe - based compound heterostructures under anisotropic deformation restriction
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | A. B. Smirnov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350136 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: Kukhtaruk, N.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kukhtaruk, N.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
за авторством: Movchan, S., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Movchan, S., та інші
Опубліковано: (1999)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
за авторством: Sizov, F.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sizov, F.
Опубліковано: (2019)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012) -
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002) -
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007) -
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017) -
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)