Graded-gap AlInN Gunn diodes
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350137 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)