Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | V. M. Katerynchuk, Z. R. Kudrynskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350246 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Geterophase nanostructures formation based on InSe, their physical properties and possibityties of practical applications
за авторством: S. A. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: S. A. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2007)
Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Self-organization of magnetic nanostructures on the surface of layers of layered In2Se3 crystals intercalated with cobalt
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2012)
Physicochemical properties of SnO2/MoO3 nanostructures synthesized in the KNO3 melt
за авторством: E. V. Panov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. V. Panov, та інші
Опубліковано: (2015)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
Structure, properties, and applications of ceramic composite produced of nanostructured powders of composition ZrO2 + 3% Y2O3
за авторством: A. G. Kolmakov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. G. Kolmakov, та інші
Опубліковано: (2013)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013) -
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015) -
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011) -
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)