Baranskii, P. I., & Gaidar, G. P. (2012). Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskii, P. I., та G. P. Gaidar. Peculiariries of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity. 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskii, P. I., та G. P. Gaidar. Peculiariries of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity. 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.