Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	P. I. Baranskii, G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350247
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