Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | R. Nizam, S. Mahdi, A. Rizvi, A. Azam |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350255 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: Rashid Nizam, та інші
Опубліковано: (2012) -
Functionalized Semiconducting Carbon Nanotubes: Three Models for Carrier Spectra
за авторством: Lykah, V.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
On calculation electronic states of carbon nanotubes
за авторством: Korostil, A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)