Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350258 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Registration of the thermal neutrons using uncooled Si planar detector
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
Phase equilibria in the ternary system Dy–Li–Si at 400 °S
за авторством: A. Stetskiv
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Stetskiv
Опубліковано: (2017)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
за авторством: Yu. Tarasova, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Tarasova, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)
Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
Magnetic and Relaxation Phenomena in Film Si—TiN—Fe Heterostructures with Carbon Nanotubes
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)
Characteristics of the formation of nanostructured polymer systems with ≡SI–O–SI≡ -groups
за авторством: L. N. Jashchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: L. N. Jashchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Diffractive inelastic scattering of 6Li nuclei by 12C, 28Si nuclei
за авторством: V. I. Kovalchuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. I. Kovalchuk
Опубліковано: (2013)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: V. I. Bilozertseva, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. I. Bilozertseva, та інші
Опубліковано: (2010)
Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Large size composite scintillators
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrophysical and thermophysical properties of nano-system with AgI/SiO2 core–shell Structure
за авторством: I. M. Mudrak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. M. Mudrak, та інші
Опубліковано: (2012)
HYDROTHERMAL EXTRACTION OF LITHIUM COMPOUNDS FROM PETALITE Li[AlSi4O10]
за авторством: Ivanenko, Oleksandr, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ivanenko, Oleksandr, та інші
Опубліковано: (2021)
Схожі ресурси
-
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)