Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350258 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: Muminov, R.A., та інші
Опубліковано: (2012) -
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)