Buchumschlag

Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350258
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures
von: Muminov, R.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
von: V. A. Vinichenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
von: V. A. Vynychenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
von: A. F. Diadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
von: F. F. Sizov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)

The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
von: N. Alimov, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
von: B. V. Pavlyk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
von: B. V. Pavlyk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li₂SiS₃
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2020)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Registration of the thermal neutrons using uncooled Si planar detector
von: Bochek, G.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Yu. M. Gudenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Gudenko1, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Kharkiv test platform for research and development of Si spectrometric planar detectors and detectors arrays for medical application
von: Kapliy, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
von: Yu. Tarasova, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Phase equilibria in the ternary system Dy–Li–Si at 400 °S
von: A. Stetskiv
Veröffentlicht: (2017)

Electrophysical properties of PMN-PT-PS-PFN:Li ceramics
von: Skulski, R., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Scintillation characteristics of deformed large-sized NaI crystals
von: Shlyakhturov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

On the opportunity of β-radiation detection by SI detectors in the Chernobyl failure area
von: Kulibaba, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
von: D. I. Bletskan, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
von: Babych, V.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS
von: E. V. Kotenok, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
von: S. L. Prokopenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
von: S. L. Prokopenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)