Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | Yu. V. Gomeniuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350277 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements
за авторством: Gomeniuk, Yu.V.
Опубліковано: (2012) -
Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012) -
Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
за авторством: Gomeniuk, Y.V.
Опубліковано: (2012) -
Novel hysteresis effect in ultrathin epitaxial Gd₂O₃ high-k dielectric
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)