Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | A. Sarikov, V. Naseka |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350278 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: Sarikov, A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019) -
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019) -
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)