Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автор: G. P. Gaidar
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2012
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350282
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS