Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | M. Vakiv, R. Golovchak, D. Chalyy, M. Shpotyuk, S. Ubizskii, O. Shpotyuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350283 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: Shpotyuk, M.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Shpotyuk, M.V., та інші
Опубліковано: (2015)
On the problem of relaxation for radiation-induced optical effects in some ternary chalcogenide glasses
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Reply to Kavetskyy and Stepanov’s “Comments on the “Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding”
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Average replicated T-matrix approximation: valence band of non-crystalline metallic alloys
за авторством: Yakibchuk, P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yakibchuk, P., та інші
Опубліковано: (2007)
Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)
Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
Basic peculiarities of energy band spectra within generalized kindal's model for semiconductors with one main axis
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Peculiarities of Ag metallic nanoparticles formation in alkaline and alkaline-earth tetraborate glasses
за авторством: Dutka, R.M., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Dutka, R.M., та інші
Опубліковано: (2015)
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
Valency-based and non-valency based conjugability of verbs to perform / have performed in musical texts
за авторством: S. I. Stashkiv
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Stashkiv
Опубліковано: (2022)
Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)
Valence electron distribution in zirconium dodecaboride
за авторством: Filippov, V.B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Filippov, V.B., та інші
Опубліковано: (2006)
Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
Low temperature spin-glass magnetic behavior of Ce₃Pd₂₀Ge₆
за авторством: Gaidukov, Yu.P., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Gaidukov, Yu.P., та інші
Опубліковано: (1998)
Inner valence excitations of condensed neon
за авторством: Kassühlke, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kassühlke, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Inner valence excitations of condensed neon
за авторством: B. Kassьhlke, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: B. Kassьhlke, та інші
Опубліковано: (2012)
Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese
за авторством: Paiuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Paiuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2016)
Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl2O4
за авторством: Klym, H. I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Klym, H. I., та інші
Опубліковано: (2006)
Dispersion of particles and valence of manganese in welding fumes
за авторством: I. K. Pokhodnja, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. K. Pokhodnja, та інші
Опубліковано: (2011)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Reply to Kavetskyy and Stepanov&#039;s &quot;Comments on the &quot;Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding&quot;
за авторством: O. I. Shpotyuk
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. I. Shpotyuk
Опубліковано: (2018)
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce
за авторством: Koterlyn, M.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Koterlyn, M.D., та інші
Опубліковано: (2004)
The effects of strong correlations on the band structure of Ag₈SnSe₆ argyrodite
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Intrinsic and extrinsic inhomogeneities in mixed-valence manganites
за авторством: Belevtsev, B.I.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belevtsev, B.I.
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012) -
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: Shpotyuk, M.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
On the problem of relaxation for radiation-induced optical effects in some ternary chalcogenide glasses
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)