Зображення обкладинки

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	M. Vakiv, R. Golovchak, D. Chalyy, M. Shpotyuk, S. Ubizskii, O. Shpotyuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350283
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Valency-based and non-valency based conjugability of verbs to perform / have performed in musical texts
за авторством: S. I. Stashkiv
Опубліковано: (2022)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

Inner valence excitations of condensed neon
за авторством: B. Kassьhlke, та інші
Опубліковано: (2012)

Reply to Kavetskyy and Stepanov&#039;s &quot;Comments on the &quot;Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding&quot;
за авторством: O. I. Shpotyuk
Опубліковано: (2018)

Dispersion of particles and valence of manganese in welding fumes
за авторством: I. K. Pokhodnja, та інші
Опубліковано: (2011)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese
за авторством: Paiuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2016)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)

The effects of strong correlations on the band structure of Ag₈SnSe₆ argyrodite
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoalignment of liquid crystals on chalcogenide glass As20Se80 surface
за авторством: N. Boyarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoalignment of liquid crystals on chalcogenide glass As20Se80 surface
за авторством: N. Boyarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Determination of cerium valence state in alkali and alkali-earth borates
за авторством: Gaiduk, O.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Temperature induced shift of electronic band structure in Fe(Se,Te)
за авторством: Yu. V. Pustovit, та інші
Опубліковано: (2019)

The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties
за авторством: Horvat, G.T., та інші
Опубліковано: (2007)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Nature of the frequency shift of hydrogen valence vibrations in water molecules
за авторством: I. V. Zhyganiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Nature of the frequency shift of hydrogen valence vibrations in water molecules
за авторством: I. V. Zhyhaniuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)

Structural properties of chalcogenide glasses As2Se3 doped with manganese
за авторством: O. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
за авторством: Indutny, I. Z., та інші
Опубліковано: (2013)

Valence fluctuations in Sn(Pb)2P2S6 ferroelectrics
за авторством: R. Yevych, та інші
Опубліковано: (2016)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)

Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
за авторством: I. V. Babiichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: V. I. Bilozertseva, та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of nanophase separation in IR optical glasses As₄₀Se₆₀ using resonant Raman scattering
за авторством: Mateleshko, N., та інші
Опубліковано: (2004)