Зображення обкладинки

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	M. Vakiv, R. Golovchak, D. Chalyy, M. Shpotyuk, S. Ubizskii, O. Shpotyuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350283
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: M. V. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2015)

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
за авторством: Shpotyuk, M.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

On the problem of relaxation for radiation-induced optical effects in some ternary chalcogenide glasses
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Free-volume correlations in positron-sensitive annihilation modes in chalcogenide vitreous semiconductors: on the path from illusions towards realistic physical description
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Reply to Kavetskyy and Stepanov’s “Comments on the “Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding”
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Average replicated T-matrix approximation: valence band of non-crystalline metallic alloys
за авторством: Yakibchuk, P., та інші
Опубліковано: (2007)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)

Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding
за авторством: O. I. Shpotyuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Metallic nanoparticles (Cu, Ag, Au) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding
за авторством: Shpotyuk, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Obtaining and optical properties of the glasses of the GeS₂–HgS system
за авторством: Nechyporuk, B.D., та інші
Опубліковано: (2007)

Basic peculiarities of energy band spectra within generalized kindal's model for semiconductors with one main axis
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Peculiarities of Ag metallic nanoparticles formation in alkaline and alkaline-earth tetraborate glasses
за авторством: Dutka, R.M., та інші
Опубліковано: (2015)

Valency-based and non-valency based conjugability of verbs to perform / have performed in musical texts
за авторством: S. I. Stashkiv
Опубліковано: (2022)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Valence electron distribution in zirconium dodecaboride
за авторством: Filippov, V.B., та інші
Опубліковано: (2006)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)

Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)

Inner valence excitations of condensed neon
за авторством: B. Kassьhlke, та інші
Опубліковано: (2012)

Inner valence excitations of condensed neon
за авторством: Kassühlke, B., та інші
Опубліковано: (2012)

Dispersion of particles and valence of manganese in welding fumes
за авторством: I. K. Pokhodnja, та інші
Опубліковано: (2011)

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Low temperature spin-glass magnetic behavior of Ce₃Pd₂₀Ge₆
за авторством: Gaidukov, Yu.P., та інші
Опубліковано: (1998)

Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese
за авторством: Paiuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce
за авторством: Koterlyn, M.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl2O4
за авторством: Klym, H. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Intrinsic and extrinsic inhomogeneities in mixed-valence manganites
за авторством: Belevtsev, B.I.
Опубліковано: (2004)

Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
за авторством: Maslov, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)