Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. I. Osinsky, I. V. Masol, N. N. Lyahova, P. V. Deminsky |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350289 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Some new technology aspects for quantum enestor through A3B5 multicomponent nanoepitaxy
von: V. Osinsky, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. Osinsky, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Microelectronic multi_parametrical biosensors
von: M. F. Starodub, et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: M. F. Starodub, et al.
Veröffentlicht: (2008)
Opto-electronic transducers for powerful generators mechanical fault diagnosing systems: software algorithms
von: Ye. O. Zaitsev
Veröffentlicht: (2020)
von: Ye. O. Zaitsev
Veröffentlicht: (2020)
Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
von: Bizyukov, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Bizyukov, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices
von: V. I. Gavrysh, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. I. Gavrysh, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
von: Arkusha, Yu. V.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V.
Veröffentlicht: (2013)
The microelectronic inductive balanced sensors with coils of square and triangular shape
von: O. N. Negodenko, et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: O. N. Negodenko, et al.
Veröffentlicht: (2002)
Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors
von: V. P. Sidorenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. P. Sidorenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions
von: V. I. Gavrysh, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. I. Gavrysh, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Precision shaping flat surfaces details of optics and microelectronics when polishing
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
von: V. I. Gavrysh
Veröffentlicht: (2011)
von: V. I. Gavrysh
Veröffentlicht: (2011)
In-process monitoring of shape accuracy of flat surfaces of optical and microelectronic components in polishing
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermal state modeling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions
von: V. I. Gavrysh
Veröffentlicht: (2012)
von: V. I. Gavrysh
Veröffentlicht: (2012)
Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electric current, thermocurrent, and heat flux in nano- and microelectronics: transport model
von: Yu. A. Kruglyak
Veröffentlicht: (2014)
von: Yu. A. Kruglyak
Veröffentlicht: (2014)
Electric current, thermocurrent, and heat flux In nano-and microelectronics:selected topics
von: Yu. A. Kruglyak
Veröffentlicht: (2014)
von: Yu. A. Kruglyak
Veröffentlicht: (2014)
Electrical potential in silicon crystals, which are used for purposes of solar energetics and microelectronics
von: V. A. Makara, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. A. Makara, et al.
Veröffentlicht: (2014)
On melting of B4C boron carbide under pressure
von: V. A. Mukhanov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. A. Mukhanov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Синтез 2-(арилгидразоноил)-3-оксо-3-[2-(5Н*тиадиазоло[2,3-b]хиназолин-5-он)]-1-этилпропионатов
von: Лозинский, М.О., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Лозинский, М.О., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Exciton absorption spectra of thin films of RbCu2Cl3 and Rb2Cu3Cl5 ternary compounds
von: E. N. Kovalenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: E. N. Kovalenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)
The pressure effect on magnetic properties of YNi5, LaNi5 and CeNi5 compounds
von: G. E. Grechnev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: G. E. Grechnev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Study of nanomodification of nickel alloy GS3 with titanium carbide
von: Hlushkova, D.B., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Hlushkova, D.B., et al.
Veröffentlicht: (2023)
VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry
von: V. P. Sidorenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. P. Sidorenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Моделювання 3D фармакофорів у молекулах похідних 5,7-диметил-6-фенілазо-3Н-тіазоло[4,5-b]піридин-2-ону
von: Klenina, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Klenina, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
The interaction of 6-bromo-5-nitro- 1,3-dihydroimidazo(4,5- b)pyridine-2-one and N1,N3-dialkyl-substituted derivatives with cycloalkyl(aryl)amines
von: N. N. Smoljar, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: N. N. Smoljar, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
von: V. G. Verbitskij, et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: V. G. Verbitskij, et al.
Veröffentlicht: (2004)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2011)
¹¹B and ⁷Li MAS NMR of glassy and crystalline borate compounds
von: Sergeev, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Sergeev, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
von: Sukhovii, N. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Sukhovii, N. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Синтез і структурна функціоналізація 6-заміщених 2,3-дигідроімідазо[2,1-b][1,3]тіазол-5-онів
von: Saliyeva, L. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Saliyeva, L. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Elastic properties of 5d transition-metal carbides: An ab initio study
von: Mex, L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Mex, L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
von: Ja. A. Sychikova
Veröffentlicht: (2015)
von: Ja. A. Sychikova
Veröffentlicht: (2015)
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
von: Yu. Yu. Rumiantseva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Yu. Yu. Rumiantseva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Electrochemical Synthesis of Composite Materials Based on the Nanoscale Powders of Tungsten Carbides in Salt Melt
von: I. A. Novosjolova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: I. A. Novosjolova, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
von: B. D. Shanina, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: B. D. Shanina, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Tungsten carbides nanoparticles – a promising material for modification and reinforcement
von: R. A. Serhiienko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: R. A. Serhiienko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Structure and wear resistance at abrasive wear of deposited material, hardened with carbides of different types
von: I. A. Rjabtsev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: I. A. Rjabtsev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Crystal chemical peculiarities of the intermetallic compound Pr(Ni0.2Al0.3Ge0.5)1.8
von: N. M. Muts, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: N. M. Muts, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ähnliche Einträge
-
Some new technology aspects for quantum enestor through A3B5 multicomponent nanoepitaxy
von: V. Osinsky, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Microelectronic multi_parametrical biosensors
von: M. F. Starodub, et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Opto-electronic transducers for powerful generators mechanical fault diagnosing systems: software algorithms
von: Ye. O. Zaitsev
Veröffentlicht: (2020) -
Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
von: Bizyukov, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)