A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2012
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350292
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS