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A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350292
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