Ermakov, V. M., Kolomoets, V. V., Panasyuk, L. I., Nazarchuk, P. F., & Yashchynskyi, L. V. (2012). Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ermakov, V. M., V. V. Kolomoets, L. I. Panasyuk, P. F. Nazarchuk, та L. V. Yashchynskyi. Contribution of F- and G- Transitions to Electron Intervalley Scattering of N-Si at Temperatures 300 to 450 K. 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Ermakov, V. M., et al. Contribution of F- and G- Transitions to Electron Intervalley Scattering of N-Si at Temperatures 300 to 450 K. 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.