Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
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| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2012
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| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350293 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |