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Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	V. M. Ermakov, V. V. Kolomoets, L. I. Panasyuk, P. F. Nazarchuk, L. V. Yashchynskyi
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350293
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