Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs40 xS60 glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: T. S. Kavetskyy, V. M. Tsmots, A. L. Stepanov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2012
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350383
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS