Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350386
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)

Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)

Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)

Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Regularities of visible photoluminescence creation in low-dimensional silicon structures
за авторством: Manoilov, E.G.
Опубліковано: (2003)

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Optical and photoluminescent properties of nanostructured hybrid films based on functional fullerenes and metal nanoparticles
за авторством: Dmitruk, N., та інші
Опубліковано: (2009)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003)

Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)

Determination of refractive index dispersion and thickness of thin antireflection films TiO₂ and Si₃N₄ on surfaces of silicon photoelectric converters
за авторством: Donets, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon
за авторством: Torchinskaya, T.V., та інші
Опубліковано: (1998)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)