Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350386 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Regularities of visible photoluminescence creation in low-dimensional silicon structures
за авторством: Manoilov, E.G.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Manoilov, E.G.
Опубліковано: (2003)
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical and photoluminescent properties of nanostructured hybrid films based on functional fullerenes and metal nanoparticles
за авторством: Dmitruk, N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dmitruk, N., та інші
Опубліковано: (2009)
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)
Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)
Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004) -
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018) -
Correlation between photoluminescent and photoelectrical properties of Mn-doped ZnO
за авторством: N. O. Korsunska, та інші
Опубліковано: (2018)