Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, I. V. Tkachenko, A. M. Slyotov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350387 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of oxidation method of cadmium and zinc chalcogenide substrates on physical properties of CdO and ZnO heterolayers
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2009) -
Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006) -
Temperature dependences of the heat capacity of sphalerite crystals of CdS, CdSe, CdTe cadmium chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015) -
Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)