Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | A. V. Kopyshinsky, S. E. Zelensky, E. A. Gomon, S. G. Rozouvan, A. S. Kolesnik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350395 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: Kopyshinsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2012) -
Laser-induced incandescence of borate glass doped with carbon microparticles
за авторством: Kopyshinsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Laser-induced incandescence in aqueous carbon black suspensions: the role of particle vaporization
за авторством: Rulik, Ju.Ju., та інші
Опубліковано: (2007) -
The role of air in laser-induced thermal emission of surface layers of porous carbon materials
за авторством: S. E. Zelensky, та інші
Опубліковано: (2023) -
Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)