Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | I. B. Olenych |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350396 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012) -
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002) -
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017) -
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)