Pashaev, I. G. (2012). Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Pashaev, I. G. Studying of Properties of Silicon Junctions with the Schottky Barrier Fabricated on the Base of Amorphous and Polycrystalline Various Metal Alloys. 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Pashaev, I. G. Studying of Properties of Silicon Junctions with the Schottky Barrier Fabricated on the Base of Amorphous and Polycrystalline Various Metal Alloys. 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.