Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | I. E. Maronchuk, T. F. Kuljutkina, I. I. Maronchuk, Ju. Bykovskij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474744 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
The universal Turing machine interpreter
за авторством: A. F. Kurgaev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. F. Kurgaev, та інші
Опубліковано: (2016)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Codicological-paleographic and phonetic fea¬tures of Lavryshiv Gospel
за авторством: L. A. Hnatenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Hnatenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Mappings of the description logic ALC into the binary relational data struc-ture
за авторством: Reznichenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Reznichenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Ture Orthodox Church in Chernihiv land and the Abbot Alipii (Yakovenko)
за авторством: V. Shumilo
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. Shumilo
Опубліковано: (2020)
Growth of the photonic nanostruc-tures using interference lithography and oblique deposition in vacuum
за авторством: I. Z. Indutnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. Z. Indutnyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
On temperаture dependence of ideal separation factor in systems with similar volatility of components
за авторством: Kravchenko, А.I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kravchenko, А.I.
Опубліковано: (2016)
Antiradical properties of complex compounds of dirhenium(III) with histidine, g-aminobutyric and asparaginic acids
за авторством: Ju. Tretjak, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. Tretjak, та інші
Опубліковано: (2013)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
Strategic Directions For The Design, Development, and Expansion of Transport Infra struc - ture in Ukraine
за авторством: O. C. Karas
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. C. Karas
Опубліковано: (2019)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
Comparative analysis of the use slag materials and liga-tures for chromic cast-irons production
за авторством: E. A. Jasinskaja
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. A. Jasinskaja
Опубліковано: (2014)
Synthesis and spectral-luminescent properties of Tb(III), Dy(III) and Tm(III) compounds with copolymers of 5-methyl-5-hexene-2,4-dione and styrene
за авторством: S. B. Meshkova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. B. Meshkova, та інші
Опубліковано: (2014)
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrodeposition of chromium coatings from sulfate-carbamide electrolytes on the base of Cr(III) compounds
за авторством: V. O. Hordiienko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. O. Hordiienko, та інші
Опубліковано: (2010)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of Magnetic Properties of Intermetallic Compounds in REM—In System in Solid and Liquid States
за авторством: O. K. Kuvandikov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. K. Kuvandikov, та інші
Опубліковано: (2013)
A new method of metallurgical silicon purification
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
Phase diagram and optical properties of liquid crystalline binary cobalt caprylate - lanthanum caprylate liquid crystal system
за авторством: Tokmenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tokmenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)
The kinetics of the liquid phase oxidation of 3-arylcyclopentenes
за авторством: D. A. Pisanenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. A. Pisanenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Transformation of Re(III) complex compounds into metal nanoparticles in aqueous and alcoholic media
за авторством: M. I. Buriak, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. I. Buriak, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of Surface Phenomena on Selective Separation Properties of Liquid Crystal Stationary Phase
за авторством: Dzagania, M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Dzagania, M., та інші
Опубліковано: (2010)
Structure and properties of polymer composites based on epoxy polymer, polyaniline, and Al(III) or Fe(III) metal oxide
за авторством: V. I. Shtompel, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. I. Shtompel, та інші
Опубліковано: (2012)
The dibenzotetraaza|14|annulene-based compounds and materials: properties and applications
за авторством: V. D. Orlov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. D. Orlov, та інші
Опубліковано: (2014)
The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004) -
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
The universal Turing machine interpreter
за авторством: A. F. Kurgaev, та інші
Опубліковано: (2016) -
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000) -
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)