Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene

Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O. B. Okhrimenko, R. V. Konakova, A. M. Svetlichnyj, O. B. Spiridonov, Ju. Volkov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474794
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Field emission properties of pointed cathodes based on graphene films on SiC
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2016)

Graphene and graphene-based nanostructures
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)

The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of obtaining nanostructured silicon carbide particles from bamboo chips
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Temperatural conductivity of diluted water solutions graphen and nanostructures of graphen nanoparticles
за авторством: O. M. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2020)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Sintering and properties of materials based on silicon, boron and titanium carbides obtained by electrospark sintering
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Changes in nanostructure and micro-plastic properties of silicon crystals under action of magnetic fields
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Changes in nanostructure and micro-plastic properties of silicon crystals under action of magnetic fields
за авторством: Steblenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites by gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: Liu, R.J., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)

Low-dimensional peculiarities of vibrational characteristics and stability of graphene nanostructures
за авторством: I. A. Gospodarev, та інші
Опубліковано: (2020)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Optimisation of properties of silicon carbide ceramics with the use of different additives
за авторством: Lobach, K., та інші
Опубліковано: (2018)

Field emission of electrons from laser produced silicon tip arrays
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical resistivity of pressureless sintered aluminum nitride based composite with addition of nanosized silicon carbide
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Optical properties of silicon carbide obtained by direct ion deposition
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)