Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | R. M. Balabai |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474982 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999) -
The choice of silicon nanostructures for CH₄ detection: ab-initio calculation
von: Balabai, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
von: Z. F. Tsybrii
Veröffentlicht: (2019) -
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)