Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | R. M. Balabai |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000474982 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999) -
The choice of silicon nanostructures for CH₄ detection: ab-initio calculation
за авторством: Balabai, R.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019) -
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)