Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | O. O. Havryliuk, Ye. Klymenko, Yu. Semchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516416 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thermoelastic stresses and defect production in semiconductor-insulator structures at isothermic heating
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000) -
Kinetics of interacting quasi-particles in semiconductors in the field of coherent light beams
за авторством: Yu. Semchuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Kinetic theory of surface plasmon resonance in metal nanoparticles
за авторством: Yu. Semchuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Impact of atomic structure of metal surface on potential relief of closely located surface of semiconductor
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)