Buchumschlag

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	R. M. Peleshchak, O. O. Dankiv, O. V. Kuzyk
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678127
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
von: Martin, P.M., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

InAs фотодіоди (огляд)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs
von: Березовец, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Мiнiзонна електропровiднiсть у надґратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
von: Boichuk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
von: Dan'kiv, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
von: Kаrpenko, А.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
von: H. Neidhardt, et al.
Veröffentlicht: (2014)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
von: Neidhardt, H., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
von: S. V. Biletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)