Зображення обкладинки

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	V. G. Litovchenko, V. M. Naseka, A. A. Evtukh
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678128
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of Zr-Fe getter filter on Cd and Zn deep refining of interstitial impurities
за авторством: Kondrik, A.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)

Refining of Cd and Zn from interstitial impurities using distillation with a ZrFe getter filter
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Some Issues of Kinetic Theory of Radiation-Accelerated Boundary Diffusion in Polycrystalline Materials with Impurities
за авторством: E. A. Smirnov
Опубліковано: (2013)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)

Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2001)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)