Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | N. Dmitruk, N. Berezovska, I. Dmitruk, V. Serdyuk, J. Sabataityte, I. Simkiene |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian journal of physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000678276 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
von: N. Dmitruk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення
von: Dmitruk, N., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
von: Makara, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
von: T. Charikova, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
von: Charikova, T., et al.
Veröffentlicht: (2015)