Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Syrotyuk, V. M. Shved |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000685819 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotiuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Syrotiuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Thermoactivation spectroscopy of solid Ar doped with N₂
за авторством: Ponomaryov, A.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ponomaryov, A.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Properties of solid solutions, doped films and nanocomposite structures based on ZnO
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron-induced delayed desorption of solid argon doped with methane
за авторством: I. V. Khyzhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. V. Khyzhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Heat transfer in Ar and N₂ doped solid CO
за авторством: Romanova, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Romanova, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Optical properties and electronic structure of copper-manganese solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)
Heat transfer in Ar and N2 doped solid CO
за авторством: T. V. Romanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Romanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Synthesis of orthorhombic chromium boride by solid state reaction
за авторством: W. Mao, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: W. Mao, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)
Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa₃ and TmGa₃
за авторством: Pluzhnikov, V.B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Pluzhnikov, V.B., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Optical and electronic properties of Cu-Mn solid solutions
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic phase transitions and structural instability in Bi1–xSbx solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2013)
Research on electrical conductivity mechanisms of thermoelectric material based on n-ZrNiSn doped with Ga
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016)
The structure of the diffusion layer formed by the vacuum activated saturation of the solid BK-15 in the chromium nanopowder
за авторством: S. G. Rudenkij
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. G. Rudenkij
Опубліковано: (2011)
Chromium (III) state in concentrated alkaline solutions
за авторством: O. V. Pavlova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. V. Pavlova, та інші
Опубліковано: (2011)
Structures and optical properties of solid hydrogen at ultrahigh pressures
за авторством: Hitose Nagara
Опубліковано: (2003)
за авторством: Hitose Nagara
Опубліковано: (2003)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotiuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023) -
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)