Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. V. Kozynets, S. V. Litvinenko |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian journal of physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000685846 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
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Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
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