Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | N. Dmitruk, N. Berezovska, I. Dmitruk, V. Serdyuk, J. Sabataityte, I. Simkiene |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000723974 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення
за авторством: Dmitruk, N., та інші
Опубліковано: (2012) -
Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)