Electromigration degradation model of metal oxide varistor structures
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | O. V. Ivanchenko, O. S. Tonkoshkur |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724271 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electromigration degradation model of metal oxide varistor structures
за авторством: A. V. Ivanchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Kinetics deformation of current-voltage characteristics of the varistor oxide structures due to overcharging of the localized states
за авторством: A. S. Tonkoshkur, та інші
Опубліковано: (2014) -
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021) -
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021) -
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)