Зображення обкладинки

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O. A. Hrynchuk, T. V. Afanasieva, I. P. Koval, M. H. Nakhodkin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724275
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)

Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)

Low-temperature Hall effect and martensitic transition temperatures in magnetocaloric Ni50Mn35Sb15–xGex (x = 0, 1, 3) alloys
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2021)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of the surface roughness and oxide surface layer onto Si optical constants measured by the ellipsometry technique
за авторством: T. S. Rozouvan, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of the surface roughness and oxide surface layer onto Si optical constants measured by the ellipsometry technique
за авторством: Rozouvan, T.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Adsorption of symmetric random copolymer onto symmetric random surface: the annealed case
за авторством: Polotsky, A.A.
Опубліковано: (2015)

Interaction of oxygen and gadolinium with Si(100)-2 Ч 1 surface. Formation of a system with 1-eV work function
за авторством: M. H. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2015)