Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	T. A. Pagava, D. Z. Khocholava, N. I. Majsuradze, L. S. Chkhartishvili
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724601
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)

Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
за авторством: Pagava, T.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Photon-stimulated recombination of self-trapped holes with electrons in pre-irradiated solid Ar
за авторством: Gumenchuk, G.B., та інші
Опубліковано: (2005)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Structure changes in InP and GaAs crystals double irradiated with electrons and swift heavy ions
за авторством: Didyk, A., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Synthesis, crystal structure, electric and magnetic properties of new UNiSi₂ splat
за авторством: Molčanová, Z., та інші
Опубліковано: (2017)

LaNi9Si4: CRYSTAL STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
за авторством: Belan, Bohdana, та інші
Опубліковано: (2023)

Results of study the influence electron irradiation on the high-frequency dielectric properties of zirconia nanoceramics
за авторством: Aizatskyi, N.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Defects formation in spinel crystals under electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Electrical properties of fast cooled inse single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
за авторством: Kaminskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)