Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Syrotiuk, V. M. Shved |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000724906 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Syrotyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Електронна структура твердих розчинів GaInN з домішками хрому і водню
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Structure characteristics of methane-doped solid normal hydrogen
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Properties of solid hydrogen doped by heavy atomic and molecular impurities
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Thermoactivation spectroscopy of solid Ar doped with N₂
за авторством: Ponomaryov, A.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ponomaryov, A.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Properties of solid solutions, doped films and nanocomposite structures based on ZnO
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron-induced delayed desorption of solid argon doped with methane
за авторством: I. V. Khyzhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. V. Khyzhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Heat transfer in Ar and N₂ doped solid CO
за авторством: Romanova, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Romanova, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties and electronic structure of copper-manganese solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Heat transfer in Ar and N2 doped solid CO
за авторством: T. V. Romanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Romanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence properties of KAlP₂O₇ crystals doped with chromium ions
за авторством: Gomenyuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gomenyuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Carbon, Nitrogen and Hydrogen in Iron-Based Solid Solutions: Similarities and Differences in their Effect on Structure and Properties
за авторством: Gavriljuk, V.G.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Gavriljuk, V.G.
Опубліковано: (2016)
Synthesis of orthorhombic chromium boride by solid state reaction
за авторством: W. Mao, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: W. Mao, та інші
Опубліковано: (2016)
Synthesis of orthorhombic chromium boride by solid state reaction
за авторством: Mao, W., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Mao, W., та інші
Опубліковано: (2016)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)
Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Optical and spectral characteristics of chromium ion doped double alkali-aluminum phosphates
за авторством: Nedilko, S., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nedilko, S., та інші
Опубліковано: (2005)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction
за авторством: Vitusevich, S. A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vitusevich, S. A., та інші
Опубліковано: (1999)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
Paraelectric properties of PbTe doped with Ga
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Structures and optical properties of solid hydrogen at ultrahigh pressures
за авторством: Hitose Nagara
Опубліковано: (2003)
за авторством: Hitose Nagara
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
Electronic structure of chromium- and hydrogen-doped GaInN solid solutions
за авторством: S. V. Syrotyuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Електронна структура твердих розчинів GaInN з домішками хрому і водню
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2021) -
Structure characteristics of methane-doped solid normal hydrogen
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2000) -
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022) -
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)