Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автор:	M. M. Krasko
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725248
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
за авторством: Ismailov, A.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні
за авторством: Kras’ko, M.M.
Опубліковано: (2021)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Radiothermoluminescence of the γ-irradiated compositions of the ultra-high-molecular-weight polyethylene with nano-α-SiO₂
за авторством: Maharramov, A.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Еlectret properties of γ-irradiated composites of ultrahigh molecular weight polyethylene/α-SiO₂
за авторством: Magerramov, A.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

IR spectral manifestation of tin impurity sites in titanium dioxide
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2021)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation on kinetic effects in indium-alloyed cadmium antimonide single crystals
за авторством: Koval, Yu.V.
Опубліковано: (2006)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Electric-physical characteristics of pressureless sintered AlN–TiN ceramic composite
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
за авторством: Sardarly, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Structure formation and wear resistance of TiN-Ni ESA coatings after solar irradiation treatment
за авторством: Paustovsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetic and Relaxation Phenomena in Film Si—TiN—Fe Heterostructures with Carbon Nanotubes
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)

Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)

γ-decay of resonance-like structure observed in ³⁰Si(p,γ)³¹p reaction
за авторством: Kachan, A.S., та інші
Опубліковано: (2002)