Kozynets, O. V., & Lytvynenko, S. V. (2012). Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Kozynets, O. V., та S. V. Lytvynenko. Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon P−n Junction with Interdigitated Back Contacts. 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Kozynets, O. V., та S. V. Lytvynenko. Physical Properties of Sensor Structures on the Basis of Silicon P−n Junction with Interdigitated Back Contacts. 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.