Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | P. I. Baranskii, G. P. Haidar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753534 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016) -
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015) -
Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002) -
The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2000) -
Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)