Зображення обкладинки

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	P. I. Baranskii, G. P. Haidar
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Journal of thermoelectricity
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753534
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)

Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

On the transmutation of the Lions operator to the simplest form
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: G. P. Gajdar, та інші
Опубліковано: (2018)

Research of transmutation of products of nuclear cycle at the electron accelerator
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Beam technologies for incineration and transmutation of the nuclear waste
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)

Transmutation of radioactive waste on low-energy proton accelerators
за авторством: Migalenya, V.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014)

Studies of thermonuclear neutron usage means for radioactive waste transmutation
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Theory of multidimensional Delsarte–Lions transmutation operators. II
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Theory of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Theory of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2018)

Theory of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. II
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)

Physical ground for radioactive waste transmutation facility using thermonuclear neutrons
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)