Зображення обкладинки

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, V. P. Kladko, O. I. Liubchenko, Ye. Bieliaiev, V. V. Kaliuzhnyi
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2021
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342041
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
за авторством: I. V. Boyko, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2007)