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Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, V. P. Kladko, O. I. Liubchenko, Ye. Bieliaiev, V. V. Kaliuzhnyi
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2021
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342041
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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