Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | V. A. Romaka, Yu. V. Stadnyk, P. Rogl, V. V. Romaka, E. K. Hlil, O. I. Lakh, A. M. Horyn |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000753585 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013) -
Research on electrical conductivity mechanisms of thermoelectric material based on n-ZrNiSn doped with Ga
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of defect formation and electroconductivity mechanisms in HfNi1–xCoxSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012) -
Optimization of parameters of the new thermoelectric material HfNiSn1–xSbx
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014) -
The study of structural, energy and kinetic characteristics of Hf1-khYxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2015)