Зображення обкладинки

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Yu. Tarasova, R. M. Balabai
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904478
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: Muminov, R.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012)

Atomistic Computer Simulation of the Mixing Properties of Zircon ZrSiO4 — Monazite LaPO4 and Zircon ZrSiO4 — Xenotime YPO4 Solid Solutions
за авторством: A. E. Grechanovskij, та інші
Опубліковано: (2016)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of nanosize clusters of the palladium im-mobilized in the conditions of the reductive sorption on silica with surface -Si–H groups
за авторством: V. F. Lapko, та інші
Опубліковано: (2015)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
за авторством: Теребинская, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)

Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)

Studying the possibility of nanosized SiO2 powder production from carborundum waste in solar furnace for technological investigation
за авторством: V. V. Pasichnyi
Опубліковано: (2013)

The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Universal character of tunnelling conductance of metal-insulator-metal heterostructures with nanosize oxide interlayers
за авторством: M. A. Belogolovskij, та інші
Опубліковано: (2011)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Magnetic and Relaxation Phenomena in Film Si—TiN—Fe Heterostructures with Carbon Nanotubes
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)