Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Yu. Tarasova, R. M. Balabai |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904478 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Atomistic Computer Simulation of the Mixing Properties of Zircon ZrSiO4 — Monazite LaPO4 and Zircon ZrSiO4 — Xenotime YPO4 Solid Solutions
за авторством: A. E. Grechanovskij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. E. Grechanovskij, та інші
Опубліковано: (2016)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of nanosize clusters of the palladium im-mobilized in the conditions of the reductive sorption on silica with surface -Si–H groups
за авторством: V. F. Lapko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. F. Lapko, та інші
Опубліковано: (2015)
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Studying the possibility of nanosized SiO2 powder production from carborundum waste in solar furnace for technological investigation
за авторством: V. V. Pasichnyi
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Pasichnyi
Опубліковано: (2013)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Magnetic and Relaxation Phenomena in Film Si—TiN—Fe Heterostructures with Carbon Nanotubes
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Universal character of tunnelling conductance of metal-insulator-metal heterostructures with nanosize oxide interlayers
за авторством: M. A. Belogolovskij, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. A. Belogolovskij, та інші
Опубліковано: (2011)
Composites of the cBN–Si3N4 system reinforced by SiCw for turning tools
за авторством: A. S. Osipov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. S. Osipov, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
Synthesis of nanosized TiO2 on AL2O3/SiO2/TiO2 surface
за авторством: Ye. M. Pakhlov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Pakhlov, та інші
Опубліковано: (2013)
Computer simulation of local thermal effect on biological tissue
за авторством: R. R. Kobyliansky, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. R. Kobyliansky, та інші
Опубліковано: (2015)
Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Representatives of the structure type Sc2Re3Si4 in R− |Ti, Zr,Hf|−Si (R - ridkisnozemelnyi metal)
за авторством: N. M. Muts, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Muts, та інші
Опубліковано: (2014)
Vibrational state of the cluster simulating adsorptioncomplexes of oxygen on Si (100) border
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
Shrinkage Estimation of Cast Al–Si Alloys through Process Simulation
за авторством: Santhi, Samavedam, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Santhi, Samavedam, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011) -
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024) -
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024) -
Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)