Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | Sh. A. Mirsagatov, S. A. Muzafarova, A. S. Achilov, A. A. Movlonov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000904484 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014) -
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)