Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | Ya. O. Sychikova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906916 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Transverse chemomagnetic EDS in indium phosphide upon interaction with atomic hydrogen
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
New ternary hafnium phosphide with the Fe2P crystal structure
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2019)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electron transport, low-temperature electrical and galvanomagnetic properties of zinc oxide and indium oxide films
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Cadmium phosphide as a new material for infrared converters
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)
Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)
Low-amplitude three-dimensional structures in magnets
за авторством: A. B. Borisov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. B. Borisov, та інші
Опубліковано: (2018)
Crystal structure of the phosphides RPd2P2 (R = Gd, Tb, Dy, and Er)
за авторством: O. Karychort, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: O. Karychort, та інші
Опубліковано: (2021)
New phosphide Hf6Ni20R13 and it's crystal structure
за авторством: O. Zhak, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. Zhak, та інші
Опубліковано: (2016)
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
Excitons into one-axis crystals of zinc phosphide (Zn₃P₂)
за авторством: Stepanchikov, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Stepanchikov, D.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Calculation of the spectra of characteristic electron losses in indium bromide
за авторством: Kolinko, M.O., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kolinko, M.O., та інші
Опубліковано: (2007)
Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
On the structure of automorphism groups of some low-dimensional Leibniz algebras
за авторством: L. Kurdachenko, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: L. Kurdachenko, та інші
Опубліковано: (2024)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Indium antimonide nanowires arrays for promising thermoelectric converters
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2015)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
On the structure of the algebra of derivations of some low-dimensional Leibniz algebras
за авторством: L. Kurdachenko, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: L. Kurdachenko, та інші
Опубліковано: (2024)
Andreev-reflection spectroscopy with superconducting indium — a case study
за авторством: Gloos, K., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gloos, K., та інші
Опубліковано: (2013)
Andreev-reflection spectroscopy with superconducting indium - a case study
за авторством: K. Gloos, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: K. Gloos, та інші
Опубліковано: (2013)
The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
Electronic structure, magnetic ordering and X-ray magnetic circular dichroism in La₁₋xPrxCo₂P₂ phosphides
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Condensons and bicondensons in low-dimensional systems
за авторством: N. I. Kashirina
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. I. Kashirina
Опубліковано: (2018)
Determinism of the symmetry of a single-crystalline surface of interface at obtaining 0D- and 2D-structues of noble metals and indium on silicon
за авторством: L. I. Karbivska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. I. Karbivska, та інші
Опубліковано: (2019)
Determinism of the symmetry of a single-crystalline surface of interface at obtaining 0D- and 2D-structues of noble metals and indium on silicon
за авторством: Karbivska, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Karbivska, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014) -
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012) -
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010) -
The effect of the electrolyte composition on the value of the threshold voltage of the onset of pore formation of indium phosphide
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010) -
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)