Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Kirilash, S. V. Simchenko, V. V. Kidalov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906921 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Designs and principles of operation of photoelectric solar energy converters
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2018)
Analysis of the influence of the magnetic field on physical processes in photoelectric converters based on a computer model
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
Mathematical Modeling of a Photoelectric Converter Using the Matlab Program
за авторством: O. M. Sham
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. M. Sham
Опубліковано: (2019)
Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions
за авторством: Ju. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ju. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)
Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Formation of diffusion zone in welded joints of porous aluminium alloy with monolithic magnesium alloy at chemical activation by gallium
за авторством: Ju. V. Falchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ju. V. Falchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
AUTONOMOUS MEASUREMENT SYSTEM BASED ON MICROCOMPUTER FOR TESTING PHOTOELECTRIC MODULES
за авторством: Gaevskii, A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Gaevskii, A., та інші
Опубліковано: (2022)
Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
Hardening of magnesium alloy ML4 in alloying with gallium
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
Economic aspects of realization of autonomous charger stations of electric power based on photoelectric batteries
за авторством: V. I. Budko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. I. Budko, та інші
Опубліковано: (2018)
Structure and short range order of liquid gallium
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
ECONOMIC ASPECTS OF REALIZATION OF AUTONOMOUS CHARGER STATIONS OF ELECTRIC POWER BASED ON PHOTOELECTRIC BATTERIES
за авторством: Budko, V. I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Budko, V. I., та інші
Опубліковано: (2018)
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)
Photosensitive porous silicon based structures
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)
Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)
Схожі ресурси
-
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009) -
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999) -
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)