Photoelectric converters based on porous gallium arsenide

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	A. I. Kirilash, S. V. Simchenko, V. V. Kidalov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906921
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)

Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Designs and principles of operation of photoelectric solar energy converters
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2018)

Analysis of the influence of the magnetic field on physical processes in photoelectric converters based on a computer model
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Mathematical Modeling of a Photoelectric Converter Using the Matlab Program
за авторством: O. M. Sham
Опубліковано: (2019)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)

Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions
за авторством: Ju. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)

Formation of diffusion zone in welded joints of porous aluminium alloy with monolithic magnesium alloy at chemical activation by gallium
за авторством: Ju. V. Falchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

AUTONOMOUS MEASUREMENT SYSTEM BASED ON MICROCOMPUTER FOR TESTING PHOTOELECTRIC MODULES
за авторством: Gaevskii, A., та інші
Опубліковано: (2023)

Determination of refractive index dispersion and thickness of thin antireflection films TiO₂ and Si₃N₄ on surfaces of silicon photoelectric converters
за авторством: Donets, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)